Растровая (сканирующая) электронная микроскопия является мощным инструментом исследований широкого круга материалов, и приборных структур микро- и наноэлектроники. В лаборатории имеются растровые электронные микроскопы, производства фирмы «Carl Zeiss» Германия и «Jeol» Япония, измерительное, аналитическое оборудование.
В группе проводится большой объем как фундаментальных, так и прикладных научных исследований новых материалов, структур, приборов и объектов, созданных по нанотехнологии. Ведется фундаментальное исследование процессов, происходящих на поверхности диэлектриков, сегнетоэлектриков и широкозонных полупроводников при облучении электронными пучками средний энергий (от 0,1 кэВ до 30 кэВ).
Создан уникальный тороидальный спектрометр (дополнительная приставка к сканирующему электронному микроскопу), с помощью которого осуществляется неразрушающая диагностика трехмерных микроструктур методом томографии в отраженных электронах, а также аналитическая спектроскопия во вторичных электронах. Электронная спектроскопия используется также для определения кинетики зарядки массивных и пленочных диэлектриков под воздействием электронного и ионного облучения в широком диапазоне энергий, а также для определения рекомендуемых параметров электронного зонда при литографии.
Будущее студентов в лабораторииБудущее
Для связи